Оперативная память Transcend JetRam DDR2 PC2-6400 2GB (JM800QLU-2G) Оперативная память Transcend JetRam DDR2 PC2-6400 2GB (JM800QLU-2G)

Оперативная память Transcend JetRam DDR2 PC2-6400 2GB (JM800QLU-2G)

Артикул: 8005

частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4-456Изготовит..

124.00руб.

Оперативная память Transcend JetRam 8GB DDR4 PC4-19200 [JM2400HLB-8G] Оперативная память Transcend JetRam 8GB DDR4 PC4-19200 [JM2400HLB-8G]

Оперативная память Transcend JetRam 8GB DDR4 PC4-19200 [JM2400HLB-8G]

Артикул: 63039

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4-..

213.00руб.

Оперативная память Transcend JetRam 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (TS512MSK64V6N)

Оперативная память Transcend JetRam 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (TS512MSK64V6N)

Артикул: 21497

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. ..

131.00руб.

Оперативная память Transcend 8GB DDR4 SODIMM PC4-12800 JM2666HSB-8G

Оперативная память Transcend 8GB DDR4 SODIMM PC4-12800 JM2666HSB-8G

Артикул: 65988

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4-..

101.00руб.

Оперативная память Transcend 8GB DDR3 PC3-12800 TS1GKR72W6Z

Оперативная память Transcend 8GB DDR3 PC3-12800 TS1GKR72W6Z

Артикул: 23106

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4..

330.00руб.

Оперативная память Transcend 4GB DDR3 PC3-12800 (TS512MLK64V6N)

Оперативная память Transcend 4GB DDR3 PC3-12800 (TS512MLK64V6N)

Артикул: 21498

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. ..

131.00руб.

Оперативная память Thermaltake ToughRam RGB 2x8GB DDR4 PC4-24000 R009D408GX2-3000C16B Оперативная память Thermaltake ToughRam RGB 2x8GB DDR4 PC4-24000 R009D408GX2-3000C16B

Оперативная память Thermaltake ToughRam RGB 2x8GB DDR4 PC4-24000 R009D408GX2-3000C16B

Артикул: 151052

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4..

313.00руб.

Оперативная память Team Vulcan Z 8GB DDR4 PC4-24000 TLZRD48G3000HC16C01 Оперативная память Team Vulcan Z 8GB DDR4 PC4-24000 TLZRD48G3000HC16C01

Оперативная память Team Vulcan Z 8GB DDR4 PC4-24000 TLZRD48G3000HC16C01

Артикул: 129716

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В Импортер: ООО "Р-Теч", ..

102.00руб.

Оперативная память Team Vulcan Z 8GB DDR4 PC4-24000 TLZGD48G3000HC16C01 Оперативная память Team Vulcan Z 8GB DDR4 PC4-24000 TLZGD48G3000HC16C01

Оперативная память Team Vulcan Z 8GB DDR4 PC4-24000 TLZGD48G3000HC16C01

Артикул: 129717

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В Импортер: ООО "Р-Теч", ..

102.00руб.

Оперативная память Team Elite 4GB DDR3 PC3-12800 (TED34G1600C1101)

Оперативная память Team Elite 4GB DDR3 PC3-12800 (TED34G1600C1101)

Артикул: 134091

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28 Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4-456Изг..

68.00руб.

Оперативная память Team Elite 16GB DDR4 PC4-19200 [TED416G2400C1601]

Оперативная память Team Elite 16GB DDR4 PC4-19200 [TED416G2400C1601]

Артикул: 23102

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г..

199.00руб.

Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]

Оперативная память Silicon-Power 8GB DDR4 PC4-19200 [SP008GBLFU240B02]

Артикул: 20400

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4-..

98.00руб.

Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-19200 [SP004GBLFU240N02]

Оперативная память Silicon-Power 4GB DDR4 PC4-19200 [SP004GBLFU240N02]

Артикул: 20398

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4-..

67.00руб.

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A1K43CB1-CTD

Артикул: 134870

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. М..

109.00руб.

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M393A1K43BB1-CTD

Артикул: 117075

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. М..

171.00руб.

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M391A1K43BB2-CTD

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M391A1K43BB2-CTD

Артикул: 153972

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. М..

160.00руб.

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M378A1K43CB2-CTD

Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 M378A1K43CB2-CTD

Артикул: 122271

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. М..

106.00руб.

Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A5244CB0-CTD

Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A5244CB0-CTD

Артикул: 134863

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. М..

56.00руб.

Оперативная память Samsung 4GB DDR4 PC4-21300 M378A5244CB0-CTD

Оперативная память Samsung 4GB DDR4 PC4-21300 M378A5244CB0-CTD

Артикул: 68599

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. М..

61.00руб.

Оперативная память Samsung 4GB DDR4 PC4-19200 [M378A5244CB0-CRC]

Оперативная память Samsung 4GB DDR4 PC4-19200 [M378A5244CB0-CRC]

Артикул: 21530

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В Импортер: О..

66.00руб.

Оперативная память Samsung 32GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A4G43MB1-CTD

Оперативная память Samsung 32GB DDR4 SODIMM PC4-21300 M471A4G43MB1-CTD

Артикул: 144799

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В Импортер: ООО "Р-Теч", г. Минск, ул. Репина 4-..

483.00руб.

Показано с 1 по 21 из 1408 (всего 68 страниц)